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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-04-17
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299364A
主分类号：H01L23/538
分类号：H01L23/538;H01L23/13
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种低翘曲硅桥的基板结构，涉及半导体封装领域，以解决基板内嵌硅桥钻孔加工难度大的问题。基板结构包括：第一布线层和第二布线层均与芯板连接，且相对芯板对称分布；第一ABF布线层的第一面设有第一凸点，且开设底部裸露第一布线层表面铜箔的凹槽，第一ABF布线层与第一布线层连接；第二ABF布线层与第二布线层远离芯板一面连接；硅桥位于凹槽内，其下表面与凹槽底部的铜箔键合。将第一ABF布线层开设的凹槽内贴入硅桥，使得硅桥与凹槽底部裸露的铜箔键合，在硅桥表面无布线层结构覆盖，无需钻孔，方便对基板结构的加工。
主权项：1.一种低翘曲硅桥的基板结构，其特征在于，包括：芯板，具有顶面和底面；第一布线层，与所述芯板的顶面连接，所述第一布线层表面具有铜箔；第二布线层，与所述芯板的底面连接，且所述第二布线层和所述第一布线层相对所述芯板对称分布；第一ABF布线层，具有相对的第一面和第二面，所述第一ABF布线层的第二面与所述第一布线层远离所述芯板的一面连接，所述第一ABF布线层的第一面上设置有第一凸点，且所述第一面上开设有凹槽，所述凹槽的底部裸露所述铜箔；第二ABF布线层，具有相对的第三面和第四面，所述第二ABF布线层的第三面与所述第二布线层远离所述芯板的一面连接，所述第二ABF布线层的第四面具有焊盘；硅桥，具有相对的上表面和下表面，所述硅桥位于所述凹槽内，且所述硅桥与所述铜箔键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种低翘曲硅桥的基板结构
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