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申请/专利权人：北京大学
申请日：2024-04-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118294047A
主分类号：G01L1/22
分类号：G01L1/22;G01L5/161
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种基于岛结构的MEMS多维力传感器，包括应变体、受力体、敏感元件以及支撑应变体的框架，在应变体上方设置凸起的多个岛结构，位于应变体中央和边缘位置，敏感元件设置在上述岛结构的上表面，受力体位于中央位置的岛结构上。当外界力矢量施加在MEMS多维力传感器的受力体上时，受力体传递外力到MEMS多维力传感器的应变体上，使得应变体发生形变，位于应变体上的敏感元件产生相应的输出信号，本发明采用岛结构可以减小由于力传递不对称而引入的应力不对称，从而减小多维力传感器的维间耦合。
主权项：1.一种基于岛结构的MEMS多维力传感器，包括支撑框架、应变体、受力体和敏感元件。其特征在于，所述支撑框架位于应变体四周，用于支撑应变体；所述应变体的上方设置有多个凸起的岛结构，所述岛结构的形状为正方形、圆形或矩形，位于应变体中央和边缘位置；所述敏感元件设置在上述岛结构的上表面；所述受力体位于应变体中央位置的岛结构上，当外界力矢量施加在MEMS多维力传感器的受力体上时，受力体传递外力到MEMS多维力传感器的应变体上，使得应变体发生形变，位于应变体上的敏感元件产生相应的输出信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种基于岛结构的MEMS多维力传感器
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