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叠加顶层金属以增加寄生电容的MOM电容器、版图设计方法、半导体元件 

申请/专利权人:珠海鸿芯科技有限公司

申请日:2024-04-01

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299371A

主分类号:H01L23/64

分类号:H01L23/64;H01L27/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明提供一种叠加顶层金属以增加寄生电容的MOM电容器、版图设计方法、半导体元件,其中,该电容器包括:顶层金属层,顶层金属层包括第一极板部分和第二极板部分,第一极板部分和第二极板部分平行,第一极板部分上设置有多个第一金属单元,第一金属单元沿第一极板部分的长度方向且垂直于第一极板部分排列,第二极板部分上设置有多个第二金属单元,第二金属单元沿第二极板部分的长度方向且垂直于第二极板部分排列,第一金属单元与第二金属单元交错排列,一个第一金属单元与一个第二金属单元之间形成一个第一电容单元。本发明充分利用顶层金属层的布线资源,进而可以提高包含该电容器的芯片的面积利用效率。

主权项:1.一种叠加顶层金属以增加寄生电容的MOM电容器,其特征在于,包括:顶层金属层,所述顶层金属层包括第一极板部分和第二极板部分,所述第一极板部分和所述第二极板部分平行,所述第一极板部分上设置有多个第一金属单元,所述第一金属单元沿所述第一极板部分的长度方向且垂直于所述第一极板部分排列,所述第二极板部分上设置有多个第二金属单元,所述第二金属单元沿所述第二极板部分的长度方向且垂直于所述第二极板部分排列,所述第一金属单元与所述第二金属单元交错排列,一个所述第一金属单元与一个所述第二金属单元之间形成一个第一电容单元。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 珠海鸿芯科技有限公司 叠加顶层金属以增加寄生电容的MOM电容器、版图设计方法、半导体元件

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