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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明涉及一种负压保护的芯片版图结构，所述芯片版图结构作用于芯片级别上的器件保护，抑制、分散或吸收静电放电能力，包括输入端IN、输出端OUT、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2，其中芯片版图结构使用的布局结构是三极管背靠背串联的方式；同时其中包括的P‑subⅠ、P‑subⅡ、埋层Ⅰ、埋层Ⅱ、深N阱Ⅰ、深N阱Ⅱ，因相同材质，所以同样结构合并成一层，组成三层的共用结构。本发明所述的芯片版图结构，采用串联结构，三极管发射级和基极短接到输入或者输出，通过集电极相互重叠节省面积，集电极有源区改动注入层，版图由大面积正方形改动成小面积长方形，并设计接触孔阵列。
主权项：1.一种负压保护的芯片版图结构，所述芯片版图结构作用于芯片级别上的器件保护，抑制、分散或吸收静电放电能力，其特征在于，包括输入端IN215、输出端OUT216、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2，其中芯片版图结构使用的布局结构是三极管背靠背串联的方式；其中背靠背的NPN三极管Q1、NPN三极管Q2之间结构对称设计，同时其中包括的P-subⅠ101、P-subⅡ201、埋层Ⅰ102、埋层Ⅱ202、深N阱Ⅰ103、深N阱Ⅱ203，因相同材质，所以同样结构合并成一层，组成三层的共用结构；另外单独的NPN三极管Q1、NPN三极管Q2两侧设有P型注入区Ⅰ104；所述的P-subⅠ201下层为N型外延层，P-subⅠ201上层分别设有埋层Ⅱ202、深N阱Ⅱ203、以及两侧设有的P型注入区Ⅱ204；且在深N阱Ⅱ203上方，分别是三极管Q1和Q2中包括的基极P阱Ⅰ207、基极P阱Ⅱ212，集电极阱Ⅰ205、集电极阱Ⅱ210；三极管Q1设有的基极Ⅰ208与发射级Ⅰ209短接连接输入端IN215，三极管Q2设有的基极Ⅱ213与发射级Ⅱ214短接连接输出端OUT216，通过集电极阱P型注入区Ⅰ206、集电极阱P型注入区Ⅱ211即可形成完整的环路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种负压保护的芯片版图结构
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