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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301944A
主分类号：H10B63/10
分类号：H10B63/10;H10N70/00;H10N70/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供了一种存储器的制备方法和存储器，先形成存储单元材料层，再在存储单元材料层的一侧形成硬掩模层，所述硬掩模层包括氮、硅和氢元素，接着对所述硬掩模层进行刻蚀形成开口，采用惰性气体对所述硬掩模层进行处理，并利用所述开口在所述存储单元材料层中形成沟槽，由于惰性气体对硬掩模层的处理可以降低硬掩模层中氢的含量，从而提高氮和硅的纯度，使其更致密、更耐刻蚀，因此可以减少硬掩模层在后续工艺中的损耗。
主权项：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：形成存储单元材料层；在所述存储单元材料层的一侧形成硬掩模层，所述硬掩模层包括氮、硅和氢元素；对所述硬掩模层进行刻蚀，形成开口；采用惰性气体对所述硬掩模层进行处理；利用所述开口在所述存储单元材料层中形成沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器的制备方法和存储器
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