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申请/专利权人：晨宸辰科技有限公司
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118300562A
主分类号：H03H9/02
分类号：H03H9/02;H03H9/25;H03H9/145;H03H9/13
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供了一种抑制TC‑SAW器件杂散响应的结构，其包括压电基底层、置于所述压电基底层之上的IDT层、置于所述IDT层之上的SiO2温度补偿层以及置于所述SiO2温度补偿层之上的平行金属电极层；所述IDT层由第一汇流条、第二汇流条、第一电极及第二电极构成；所述平行金属电极层由放置于所述SiO2温度补偿层之上的第三电极与第四电极构成，其中所述第三电极与第四电极平行放置。本申请在TC‑SAW器件上沉积一对平行且对称的金属电极，通过调整平行金属电极的宽度与厚度，能够对TC‑SAW引入SiO2温度补偿层后产生的杂散响应具有良好地抑制效果，不仅对杂散响应抑制的实现较为简单，且在对杂散响应进行抑制的同时，其机电耦合系数与品质因子也基本保持不变。
主权项：1.一种抑制TC-SAW器件杂散响应的结构，其特征在于，设计TC-SAW器件，所述TC-SAW器件包含压电基底层、置于所述压电基底层之上的IDT层、置于所述IDT层之上的SiO2温度补偿层以及置于所述SiO2温度补偿层之上的平行金属电极层；所述IDT层由第一汇流条、第二汇流条、第一电极及第二电极构成；所述平行金属电极层由放置于所述SiO2温度补偿层之上的第三电极与第四电极构成，其中所述第三电极与第四电极平行放置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晨宸辰科技有限公司 一种抑制TC-SAW器件杂散响应的结构
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