申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司

申请日：2024-06-06

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118297012A

主分类号：G06F30/33

分类号：G06F30/33;G06F119/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要：本发明涉及芯片领域，公开一种老化效应的仿真方法、仿真系统与芯片。所述方法包括：根据Finfet在一时间段内的漏源电压与电流、热电容及热电阻，确定自热引起Finfet的温升；根据温升与未考虑自热的Finfet在该时间段内的工作温度，确定考虑自热的Finfet在该时间段内的实际温度；及根据漏源电压、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始阈值电压，确定考虑自热的Finfet的阈值电压，和或根据漏源电流、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始饱和电流，确定考虑自热的Finfet的饱和电流。本发明精确且有效地仿真考虑自热的Finfet的老化量，可提前预判Finfet性能。

主权项：1.一种老化效应的仿真方法，其特征在于，所述仿真方法包括：根据鳍式场效应晶体管在预设仿真时间段内的漏源电压与漏源电流、热电容以及热电阻，确定因自热效应引起的所述鳍式场效应晶体管在所述预设仿真时间段内的温度变化量；根据所述温度变化量与未考虑自热效应获得的所述鳍式场效应晶体管的工作温度，确定考虑自热效应的所述鳍式场效应晶体管在所述预设仿真时间段内的实际温度；以及根据所述漏源电压、所述实际温度以及未考虑自热效应获得的所述鳍式场效应晶体管在所述预设仿真时间段内的原始阈值电压，确定考虑自热效应的所述鳍式场效应晶体管的阈值电压，和或根据所述漏源电流、所述实际温度及未考虑自热效应获得的所述鳍式场效应晶体管在所述预设仿真时间段内的原始饱和电流，确定考虑自热效应的所述鳍式场效应晶体管的饱和电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 国网山西省电力公司 国网山西省电力公司电力科学研究院 国家电网有限公司 老化效应的仿真方法、仿真系统与芯片

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