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光致抗蚀剂底层组合物及形成电子装置的方法 

申请/专利权人:罗门哈斯电子材料有限责任公司

申请日:2023-12-26

公开(公告)日:2024-07-02

公开(公告)号:CN118276403A

主分类号:G03F7/004

分类号:G03F7/004;G03F7/09;G03F7/00;G03F7/027

优先权:["20221231 US 63/436573"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开

摘要:一种光致抗蚀剂底层组合物,其包含:可固化化合物,所述可固化化合物包含以下式1的基团:其中:R1各自独立地是H、C1‑30烷基或C3‑30环烷基;Ar1是具有5至30个碳原子的芳香族环或稠合芳香族环系统;Ar2是芳香族环;Y1是单个共价键,或选自‑O‑、‑CO‑、‑COO‑、‑S‑、‑SO2‑、‑NR2‑、‑CONR2‑、‑CONR2CO‑、‑CH2y‑、或其组合,并且y是1至6的整数;x1是2至5的整数;并且*表示结合位点,其前提是没有两个基团在Ar1上彼此处于邻位,其中,**表示与Ar1的芳香族环碳的连接点;以及溶剂。

主权项:1.一种光致抗蚀剂底层组合物,其包含:可固化化合物,所述可固化化合物包含以下式1的基团: 其中:R1各自独立地是H、C1-30烷基或C3-30环烷基;Ar1是具有5至30个碳原子的芳香族环或稠合芳香族环系统,其中,Ar1是取代或未取代的;Ar2是选自以下各项的芳香族环:6元碳环芳香族环、5元或6元杂芳香族环、或具有5至30个碳原子的稠合芳香族环系统,其中,Ar2可选地包含稠合环状酰亚胺部分、稠合噁唑部分、稠合咪唑部分、或稠合噻唑部分,并且其中,Ar2是取代或未取代的;Y1是单个共价键,或选自以下各项:-O-、-CO-、-COO-、-S-、-SO2-、-NR2-、-CONR2-、-CONR2CO-、-CH2y-、或其组合,其中,R2是H、C1-10烷基、C2-10不饱和烃基、C5-30芳基、COR3、或SO2R3,其中,R3选自H、C1-10烷基、C2-10不饱和烃基、和C5-30芳基,并且y是1至6的整数;x1是2至5的整数;并且*表示与所述可固化化合物的除了由式1表示的基团以外的部分的结合位点,其前提是没有两个基团在Ar1上彼此处于邻位,其中,**表示与Ar1的芳香族环碳的连接点;以及溶剂。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 光致抗蚀剂底层组合物及形成电子装置的方法

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