龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及钝化接触的接触电阻测试结构，钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺包括：在硅片表面形成钝化层；在钝化层上形成掺杂层，并在掺杂层上形成掩膜；利用激光去除掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻掩膜栅线之间形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽；去除掩膜栅线；制备与掺杂层接触的金属电极。本发明提供的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，制备工艺简单，且大大降低了制备成本。
主权项：1.一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，包括：在硅片表面形成钝化层；在所述钝化层上形成掺杂层，所述硅片内部具有内扩层，所述钝化层与所述内扩层接触，并在所述掺杂层上形成掩膜；利用激光去除所述掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽；所述沟槽同时贯穿所述掺杂层、所述钝化层及所述硅片内的所述内扩层；去除所述掩膜栅线；制备与所述掺杂层接触的金属电极；其中，在扩散形成所述掺杂层时，所述掺杂层的掺杂原子向所述硅片扩散形成所述内扩层，无需另外单独设置制备所述内扩层的工艺；或，在所述硅片形成所述钝化层之前，先通过扩散工艺在所述硅片形成所述内扩层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江爱旭太阳能科技有限公司 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司 一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号