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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT器件制造方法。SGT器件制造方法包括以下步骤：提供半导体层，刻蚀半导体层形成深沟槽结构；在深沟槽结构中制造位于深沟槽结构下部的屏蔽栅结构和将屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层，使得深沟槽结构的上部形成第一填充空间；在第一填充空间侧面和半导体层的上表面形成薄氧层；沉积控制栅多晶硅，使得控制栅多晶硅填充满带有薄氧层的第一填充空间；对控制栅多晶硅进行回刻蚀，去除第一填充空间以外区域的控制栅多晶硅，剩余在第一填充空间中的控制栅多晶硅为控制栅结构，控制栅结构的上表面形成凹陷；使得所述控制栅结构的尖角被氧化去除。
主权项：1.一种SGT器件制造方法，其特征在于，所述SGT器件制造方法包括以下步骤：提供半导体层，刻蚀所述半导体层形成深沟槽结构；在所述深沟槽结构中制造位于所述深沟槽结构下部的屏蔽栅结构和将所述屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层，使得所述深沟槽结构的上部形成第一填充空间；通过热氧化工艺，在所述第一填充空间侧面和所述半导体层的上表面形成薄氧层；沉积控制栅多晶硅，使得所述控制栅多晶硅填充满带有所述薄氧层的第一填充空间；对所述控制栅多晶硅进行回刻蚀，去除所述第一填充空间以外区域的控制栅多晶硅，剩余在所述第一填充空间中的控制栅多晶硅为控制栅结构，所述控制栅结构的上表面形成凹陷；所述控制栅结构与薄氧层接触的两侧顶端位置处形成尖角，所述尖角的厚度越靠近所述薄氧层的位置处越薄；通过热氧化工艺氧化所述控制栅结构的上表面和所述半导体的上表面形成第二氧化层，利用所述控制栅结构尖角的厚度越靠近所述薄氧层的位置处越薄，厚度越薄位置处的控制栅结构被氧化的速率越大，使得所述控制栅结构的尖角被氧化去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SGT器件制造方法
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