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申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280985A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件ESD保护结构，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同；在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层，绝缘介质层两侧开孔，并分别设置电极。采用多晶刻蚀后原位掺杂多晶硅的方式，代替了离子注入的方式，杂质浓度分布均匀性得到很大提升，同等条件下提高了抗ESD的能力。ESD保护区中形成高质量交替排布的阴极区域和阳极区域，能够提高VDMOS器件抗ESD效果，从而更好地保护器件。
主权项：1.一种VDMOS器件ESD保护结构，其特征在于，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同；在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层，绝缘介质层两侧开孔，并分别设置电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作方法
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