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申请/专利权人：上海领帆微电子有限公司
摘要：本申请提供了一种ESD防护器件及微处理芯片，所述ESD防护器件包括：A导电类型衬底；B导电类型深阱区；A导电类型阱区，A导电类型阱区内设有第一B导电类型掺杂区、第二B导电类型掺杂区和第三A导电类型掺杂区；B导电类型阱区，B导电类型阱区内设有第一A导电类型掺杂区、第二A导电类型掺杂区和第三B导电类型掺杂区；第一B导电类型掺杂区、第一A导电类型掺杂区、第二A导电类型掺杂区和第二B导电类型掺杂区分别沿第二方向延伸；第三A导电类型掺杂区和或第三B导电类型掺杂区沿第一方向延伸。在本申请实施例中，采用简单紧凑的版图布局方式，实现了两个端口之间双向的ESD防护，适用于全芯片。
主权项：1.一种ESD防护器件，其特征在于，包括：A导电类型衬底；B导电类型深阱区，所述B导电类型深阱区设置在所述A导电类型衬底内；A导电类型阱区，所述A导电类型阱区设置在所述B导电类型深阱区内，且所述A导电类型阱区内设有第一B导电类型掺杂区、第二B导电类型掺杂区和第三A导电类型掺杂区；B导电类型阱区，所述B导电类型阱区设置在所述B导电类型深阱区内，且所述B导电类型阱区内设有第一A导电类型掺杂区、第二A导电类型掺杂区和第三B导电类型掺杂区；所述第一B导电类型掺杂区、所述第一A导电类型掺杂区、所述第二A导电类型掺杂区和所述第二B导电类型掺杂区依次沿第一方向排布，且分别沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述第三A导电类型掺杂区和或所述第三B导电类型掺杂区沿所述第一方向延伸，且所述第三A导电类型掺杂区和所述第三B导电类型掺杂区通过金属导线相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海领帆微电子有限公司 一种ESD防护器件及微处理芯片
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