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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明公开了一种基于PINESD管的射频开关ESD保护结构，包括第一串联开关、第一并联开关、第二串联开关、第二并联开关、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一ESD保护单元、第二ESD保护单元、第三ESD保护单元、第四ESD保护单元和第五ESD保护单元。通过使用本发明，能够克服目前应用于GaAspHEMT射频开关的ESD保护结构导致芯片尺寸大和成本高的技术问题。本发明可广泛应用于射频集成电路技术领域。
主权项：1.一种基于PINESD管的射频开关ESD保护结构，其特征在于，包括第一串联开关、第一并联开关、第二串联开关、第二并联开关、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一ESD保护单元、第二ESD保护单元、第三ESD保护单元、第四ESD保护单元和第五ESD保护单元，其中：所述第一ESD保护单元包括第一PINESD管；所述第一PINESD管的第一端与所述第一电容的第一端连接，所述第一PINESD管的第二端、所述第一电容的第二端、所述第一串联开关的第一端和所述第二串联开关的第一端相连；所述第一串联开关的第二端、所述第一并联开关的第一端和所述第二电容的第一端相连；所述第一并联开关的第二端与所述第四电容的第一端连接；所述第二串联开关的第二端、所述第二并联开关的第一端和所述第三电容的第一端相连；所述第二并联开关的第二端与所述第五电容的第一端连接；所述第二电容还与所述第二ESD保护单元连接，所述第三电容还与所述第三ESD保护单元连接，所述第四电容还与所述第四ESD保护单元连接，所述第五电容还与所述第五ESD保护单元连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 一种基于PINESD管的射频开关ESD保护结构
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