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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-11-09
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239426U
主分类号：G11C15/04
分类号：G11C15/04
优先权：["20221121 US 63/384,526","20230417 US 18/301,440"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本公开提供一种内容可定址存储器CAM阵列，包括共享单元边界的第一及第二单元结构。第一单元结构包括第一存储电路及第一比较器电路，第一比较器电路包括具有栅极、漏极与源极的第一晶体管。第二单元结构包括第二存储电路及第二比较器电路，第二比较器电路包括具有栅极、漏极与源极的第二晶体管。CAM阵列更包括第一共享源极接点，着陆于第一晶体管的源极与第二晶体管的源极上。第一共享源极接点将第一晶体管的源极连接至第二晶体管的源极。并且第一共享源极接点自第一单元结构跨越共享单元边界延伸至第二单元结构。本公开还涉及一种三元内容可定址存储器阵列。
主权项：1.一种内容可定址存储器阵列，其特征在于，包括：一第一单元结构及一第二单元结构，上述第一单元结构与上述第二单元结构具有沿着一第一方向的一共享单元边界，其中上述第一单元结构包括：一第一存储电路及一第一比较器电路，上述第一比较器电路包括一第一晶体管，上述第一晶体管具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极，其中的每一者形成在一基板上，其中上述第二单元结构包括：一第二存储电路及一第二比较器电路，上述第二比较器电路包括一第二晶体管，上述第二晶体管具有一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极，其中的每一者形成在上述基板上；以及一第一共享源极接点，着陆于上述第一晶体管的上述第一源极与上述第二晶体管的上述第二源极上，进而将上述第一晶体管的上述第一源极连接至上述第二晶体管的上述第二源极，其中上述第一共享源极接点在垂直于上述第一方向的一第二方向上，自上述第一单元结构跨越上述共享单元边界延伸至上述第二单元结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 内容可定址存储器阵列及三元内容可定址存储器阵列
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