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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-13
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265300A
主分类号：H10B41/41
分类号：H10B41/41;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/40;H10B43/35;H10B43/20;G11C11/4063
优先权：["20221227 KR 10-2022-0186038"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种非易失性存储器装置包括：外围电路结构，其包括外围电路和覆盖外围电路的第一绝缘结构；以及单元阵列结构，其接合到外围电路结构并且包括单元区域和连接区域，其中，单元阵列结构包括公共源极线层、在公共源极线层上的缓冲绝缘层、掩埋在缓冲绝缘层中的多个接触停止层、包括交替地层叠在缓冲绝缘层上的多个栅电极和多个绝缘层的单元层叠物、通过穿过单元层叠物而延伸到公共源极线层的多个单元沟道结构、各自连接到所述多个栅电极中的一个或多个的多个接触结构以及覆盖单元层叠物的第二绝缘结构。
主权项：1.一种非易失性存储器装置，包括：外围电路结构，其包括外围电路和覆盖所述外围电路的第一绝缘结构；以及单元阵列结构，其接合到所述外围电路结构并且包括单元区域和连接区域，所述单元阵列结构包括：公共源极线层；缓冲绝缘层，其在所述公共源极线层上；多个接触停止层，其与所述公共源极线层分离并且掩埋在所述缓冲绝缘层中；单元层叠物，其包括交替地层叠在所述缓冲绝缘层上的多个栅电极和多个绝缘层，并且在所述连接区域中所述多个栅电极具有阶梯形状；多个单元沟道结构，其通过在所述单元区域中穿过所述单元层叠物和所述缓冲绝缘层而延伸到所述公共源极线层；多个接触结构，其通过在所述连接区域中穿过所述单元层叠物而分别与所述多个接触停止层接触，并且所述多个接触结构中的每一个连接到所述多个栅电极中的一个或多个；以及第二绝缘结构，其与所述第一绝缘结构接触，并覆盖所述单元层叠物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和包括其的存储器系统
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