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申请/专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日：2023-12-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263332A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L21/336
优先权：["20221226 JP 2022-207860","20230808 JP 2023-129535"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管包括栅极电极和在基板与栅极电极之间的层叠的氧化物区域。层叠的氧化物区域包括第一氧化物层和第二氧化物层。沟道区域包括第一氧化物层的第一区域，源极漏极区域包括彼此上下叠置的第一氧化物层的第二区域和第二氧化物层的第一区域。第一氧化物层的迁移率大于第二氧化物层的迁移率。第一杂质原子在层叠方向上的浓度分布中的峰值位置与第二氧化物层的第一区域的顶面之间的距离短于所述峰值位置与第一氧化物层的第二区域的顶面之间的距离。
主权项：1.一种薄膜晶体管基板，包括：基板；在所述基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；层叠的氧化物区域，所述层叠的氧化物区域位于所述基板和所述栅极电极之间；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述层叠的氧化物区域和所述栅极电极之间，其中，所述层叠的氧化物区域包括：沟道区域，所述沟道区域被所述栅极电极覆盖；源极漏极区域，所述源极漏极区域位于所述栅极电极的外侧；由第一氧化物制成的第一氧化物层；以及由不同于所述第一氧化物的第二氧化物制成的第二氧化物层，其中，所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间具有界面，其中，所述沟道区域包括所述第一氧化物层的第一区域，其中，所述源极漏极区域中的每一者包括彼此上下叠置的所述第一氧化物层的第二区域和所述第二氧化物层的第一区域，其中，所述第二氧化物层的所述第一区域具有比所述第一氧化物层的所述第二区域更低的电阻率，其中，所述第一氧化物层的所述第二区域的电阻率等于所述第二氧化物层的所述第一区域的电阻率所需的第一杂质原子的量大于包含在所述第二氧化物层的所述第一区域中的第一杂质原子的量，以及其中，所述第一杂质原子在层叠方向上的浓度分布中的峰值位置与所述第二氧化物层的所述第一区域的顶面之间的距离短于所述峰值位置与所述第一氧化物层的所述第二区域的顶面之间的距离。
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权利要求：
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