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申请/专利权人：成都宏科电子科技有限公司
申请日：2024-01-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263030A
主分类号：H01G4/33
分类号：H01G4/33;H01G4/005;H01G4/12;H01G13/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及硅基电容器技术领域，具体涉及一种高介质低损耗硅基电容器及其制备方法，将高介电常数陶瓷加工制备成目标靶材尺寸，具体为：将高介电常数瓷料采用轧膜烧结工艺加工成溅射靶材尺寸，再进行适当的磨削精密加工，制备成溅射靶材；选用低阻硅衬底作为基片，采用RCA清洗工艺对基片进行清洗，特别是需要进行HF酸清洗，将硅片表面的低介电常数的氧化硅层清洗干净，采用离子注入方式在硅衬底表面进行进一步的掺杂，提高硅衬底的导电性，得到第一结构体，在硅基电容器的制备工艺的基础上进行电极制备与图形化工艺，最终制备出具有特大容量密度的硅基薄膜电容器，该电容器具有硅基电容器的高可靠、高稳定特性，具有较好的市场前景。
主权项：1.一种高介质低损耗硅基电容器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将高介电常数陶瓷加工制备成目标靶材尺寸，具体为：将高介电常数瓷料采用轧膜烧结工艺加工成溅射靶材尺寸，再进行适当的磨削精密加工，制备成溅射靶材；选用低阻硅衬底作为基片，采用RCA清洗工艺对基片进行清洗，特别是需要进行HF酸清洗，将硅片表面的低介电常数的氧化硅层清洗干净，采用离子注入方式在硅衬底表面进行进一步的掺杂，提高硅衬底的导电性，得到第一结构体；采用射频磁控溅射法在上述所清洗干净的衬底表面溅射上述制备的溅射靶材，形成电介质薄膜；对上述所得到的结构体在大气气氛中进行退火处理；采用磁控溅射法在经上述退火处理后的第二结构体的薄膜上下表面分别依次制备底层电极及上电极层，得到第三结构体；根据上电极图形的设计要求，采用光刻工艺对上述所得到的第三结构体中的上电极层进行图形化，使上电极的形状和尺寸符合设计要求；对上述所得基片按图形预留的留边位置进行切割划片，得到硅基薄膜电容器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都宏科电子科技有限公司 一种高介质低损耗硅基电容器及其制备方法
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