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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-01-31
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263190A
主分类号：H01L21/8238
分类号：H01L21/8238;H01L21/56
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种减少沟槽刻蚀过程中侧墙缺失的方法，包括：提供一半导体结构，其包括衬底、形成于衬底内的STI、由STI定义出的有源区、形成于有源区的锗硅外延层，形成于锗硅外延层表面多个栅极叠层结构及与栅极叠层结构对应的源、漏区；于半导体结构的表面形成第一侧墙层及第二侧墙层；于源、漏区及STI的表面形成刻蚀阻挡层，且刻蚀阻挡层形成于第二侧墙层的表面，其厚度小于栅极叠层结构的厚度；于位于刻蚀阻挡层上方且位于栅极叠层结构侧壁的第二侧墙层表面形成保护层；刻蚀形成于源、漏区的锗硅外延层以形成第一沟槽。通过本发明解决了现有的形成沟槽过程中侧墙易损失而导致锗硅无法生长问题。
主权项：1.一种减少沟槽刻蚀过程中侧墙缺失的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、形成于衬底内的STI、由所述STI定义出的有源区、形成于所述有源区的锗硅外延层，形成于所述锗硅外延层表面多个栅极叠层结构及与所述栅极叠层结构对应的源、漏区；于所述半导体结构的表面形成第一侧墙层及第二侧墙层，且所述第一侧墙层覆盖所述栅极叠层结构的表面与其侧壁、所述源、漏区的表面及所述STI的表面，所述第二侧墙层形成于所述第一侧墙层的表面；于所述源、漏区及所述STI的表面形成刻蚀阻挡层，且所述刻蚀阻挡层形成于所述第二侧墙层的表面，其厚度小于所述栅极叠层结构的厚度；于位于所述刻蚀阻挡层上方且位于所述栅极叠层结构侧壁的所述第二侧墙层表面形成保护层；刻蚀形成于所述源、漏区的所述锗硅外延层以形成第一沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 减少沟槽刻蚀过程中侧墙缺失的方法
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