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申请/专利权人：ASMIP控股有限公司
申请日：2019-06-19
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN110739198B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：["20180720 US 16/040,755"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.06.29#实质审查的生效;2020.01.31#公开
摘要：基底加工方法的示例包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。
主权项：1.一种基底加工方法，包括：使放置在基座上的第一基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述第一基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述第一基底的同时测量所述射频电极的自偏压；通过控制器，所述控制器被配置成完全基于所述自偏压来缩短或加长所述静电去除时间，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间；使放置在所述基座上的第二基底经受与所述第一基底的所述等离子体加工相同的等离子体加工；以及向所述射频电极只施加所述缩短的或加长的静电去除时间的功率，由此减少所述第二基底的电荷量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP控股有限公司 基底加工方法
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