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申请/专利权人：AP系统股份有限公司
申请日：2022-09-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266064A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;G01J5/00;H01S5/183
优先权：["20211111 KR 10-2021-0154926"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种用于处理基底的设备及方法，其甚至在低温区中亦能够通过精确测量温度来进行有效热管理。用于处理基底的设备包含：腔室，组态以提供处理基底的处理空间；基底支撑件，设置于腔室的处理空间中以支撑基底；加热器，设置有组态以朝向基底的第一面照射光的多个半导体激光模块；以及高温计，设置于面向第一面的第二面的侧面处以侦测自基底入射的光，由此测量温度。多个半导体激光模块的主发射波长小于高温计的测量波长。
主权项：1.一种用于处理基底的设备，所述设备包括：腔室，组态以提供处理所述基底的处理空间；基底支撑件，设置于所述腔室的所述处理空间中以支撑所述基底；加热器，设置有组态以朝向所述基底的第一面照射光的多个半导体激光模块；以及高温计，设置于面向所述第一面的第二面的侧面处以侦测自所述基底入射的光，由此测量温度，其中所述多个半导体激光模块的主发射波长小于所述高温计的测量波长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AP系统股份有限公司 处理基底的装置以及方法
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皖公网安备 34010402703815号