龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-05-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249193A
主分类号：H01S5/026
分类号：H01S5/026;H01S5/024
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种晶圆级硅基III‑V族异质集成器件及其制备方法，属于半导体器件领域，器件包括：键合硅区，以及分别键合在键合硅区上下两侧的器件硅区和有源器件区；器件硅区包括硅硅耦合器和硅基调制器；有源器件区采用III‑V族化合物半导体材料，包括：p型包层、有源层、n型包层、p面电极、n面散热电极和气密保护材料；p型包层、有源层、n型包层和n面散热电极依次设置在键合硅区的一侧；p面电极设置在p型包层上；气密保护材料包裹p型包层、有源层、n型包层、p面电极和n面散热电极。可实现高兼容、高可靠的硅基集成有源器件，可提供片上光源、片上放大及光学非线性变换等功能。
主权项：1.一种晶圆级硅基III-V族异质集成器件，其特征在于，包括：器件硅区（1）、键合硅区（2）和有源器件区（3），所述器件硅区（1）和所述有源器件区（3）分别键合在所述键合硅区（2）的上下两侧；所述器件硅区（1）包括硅硅耦合器（14）和硅基调制器（15）；所述有源器件区（3）采用III-V族化合物半导体材料，包括：p型包层（31）、有源层（32）、n型包层（33）、p面电极（34）、n面散热电极（35）和气密保护材料（36）；所述p型包层（31）、所述有源层（32）、所述n型包层（33）和所述n面散热电极（35）依次设置在所述键合硅区（2）的一侧；所述p面电极（34）设置在所述p型包层（31）上；所述气密保护材料（36）包裹所述p型包层（31）、所述有源层（32）、所述n型包层（33）、所述p面电极（34）和所述n面散热电极（35）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 晶圆级硅基III-V族异质集成器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号