龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中科纳米张家港化合物半导体研究所
申请日：2023-12-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221201761U
主分类号：H01S5/40
分类号：H01S5/40;H01S5/42;H01S5/026
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本申请公开了一种硅衬底III‑V面阵器件，包括硅001衬底，第一表面上设有盲孔，盲孔包括四棱锥形孔段和倒四棱锥形孔段，四棱锥形孔段的锥底端与倒四棱锥形孔段的锥底端连接为一体；氧化层，布置在第一表面上，设有与盲孔一一对应连接的通孔；器件单元，布置在对应的盲孔和通孔内。本申请在硅衬底表面刻蚀得到由四棱锥形孔段和四棱倒锥形孔段连接组成的第二刻蚀孔，异质界面缺陷延伸至器件结构中，抑制晶格失配造成的穿透位错，有效降低缺陷；沿倒锥形段内壁斜面平行方向缺陷被锥形孔段侧壁阻挡，提高晶体质量，提高器件的性能，降低工艺复杂性，避免器件侧壁漏电，提高单元器件性能。
主权项：1.一种硅衬底III-V面阵器件，其特征在于，包括：硅001衬底，包括相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设有与所述面阵器件的器件单元一一对应的盲孔，所述盲孔包括沿所述第一表面指向所述第二表面的方向上依次设置的四棱锥形孔段和倒四棱锥形孔段，所述四棱锥形孔段的锥角指向所述第一表面设置，且所述四棱锥形孔段的锥角端延伸至所述第一表面，所述倒四棱锥形孔段的锥角指向所述第二表面设置，且所述四棱锥形孔段的锥底端与所述倒四棱锥形孔段的锥底端连接为一体；氧化层，布置在所述第一表面上，所述氧化层上设有与所述盲孔一一对应连接的通孔；器件单元，布置在对应的所述盲孔和所述通孔内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科纳米张家港化合物半导体研究所 硅衬底III-V面阵器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号