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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-04-02
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231511A
主分类号：H01L31/109
分类号：H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和P型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一TiAlTiAu层沿第一方向并列覆盖于P型铝镓氮层上，其中第一方向为垂直于叠置方向；NiAu电极，设置在氮化铝层上；第二TiAlTiAu层，设置于NiAu电极上。该装置受表面态影响小，能在不外加偏压的条件下工作，提高了氮化铝真空探测器的响应性能。
主权项：1.一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器，其特征在于，包括：蓝宝石衬底1；在所述蓝宝石衬底1上依次叠置的氮化铝缓冲层2、氮化铝外延层3和P型铝镓氮层4；氮化铝层5、二氧化硅绝缘膜6和第一TiAlTiAu层7沿第一方向并列覆盖于所述P型铝镓氮层4上，其中所述第一方向为垂直于所述叠置方向；NiAu电极8，设置在所述氮化铝层5上；第二TiAlTiAu层9，设置于所述NiAu电极8上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法
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