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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日：2023-07-05
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234221A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221219 US 18/083,921"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开提供一种存储器元件。该存储器元件包括一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；以及一电性绝缘结构，将该基底、该第一栅极电极以及该第二栅极电极各自分开。该存储器元件还包括一第一介电层，设置在该基底内，且从顶视图来看，该第一介电层覆盖该电性绝缘结构的一上部。
主权项：1.一种存储器元件，包括：一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；一电性绝缘结构，将该基底、该第一栅极电极以及该第二栅极电极各自分开；以及一第一介电层，设置在该基底内，且从顶视图来看，该第一介电层覆盖该电性绝缘结构的一上部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 存储器元件
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