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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要:一种半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法,其中方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层,所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区,所述晶圆具有所述器件层所在的第一面,以及与所述第一面相对的第二面;自所述第一面刻蚀所述晶圆,在所述划片道区内形成凹槽,所述凹槽的深度大于所述晶圆内的所述器件层的深度,在对所形成的半导体结构进行后续的封装过程中,自所述第二面平坦化所述晶圆,直到暴露出所述凹槽,即可使所述若干芯片区相互之间分离,减少了对所述划片道相邻的芯片区的影响,可以避免机械切割或激光切割造成的芯片性能不良或失效风险。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层,所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区,所述晶圆具有所述器件层所在的第一面,以及与所述第一面相对的第二面;自所述第一面刻蚀所述晶圆,在所述划片道区内形成凹槽,所述凹槽的深度大于所述晶圆内的所述器件层的深度。
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