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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-12-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231286A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67
优先权：["20221219 JP 2022-201958","20231025 JP 2023-183352"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供在进行具有微小图案的基片的干燥的情况下，有利于抑制微小图案的毁坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：干燥装置，其进行使用超临界处理流体使基片干燥的干燥处理，其中，基片具有形成有微小图案的处理面；和表面改性装置，其进行使基片的处理面疏水化的表面改性处理，表面改性装置在干燥处理后进行表面改性处理。
主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：干燥装置，其进行使用超临界处理流体使基片干燥的干燥处理，其中，所述基片具有形成有微小图案的处理面；和表面改性装置，其进行使所述基片的所述处理面疏水化的表面改性处理，所述表面改性装置在所述干燥处理后进行所述表面改性处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
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皖公网安备 34010402703815号