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【发明授权】输入前端电路、单比特时间交织模数转换电路及电子设备_深圳大学_202410326924.4 

申请/专利权人:深圳大学

申请日:2024-03-21

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN117938166B

主分类号:H03M1/12

分类号:H03M1/12;H03F3/45;H03F1/32;H03G3/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:一种输入前端电路、单比特时间交织模数转换电路及电子设备,输入前端电路包括源级退化型全差分共源放大器和源跟随器,源级退化型全差分共源放大器用于接入输入差分信号并基于输入差分信号,以预设可调增益生成第一差分信号;源跟随器,源跟随器与源级退化型全差分共源放大器连接,源跟随器用于基于第一差分信号生成第二差分信号。与传统的共源放大器相比,源级退化型全差分共源放大器以预设可调增益生成的第一差分信号的线性度更好,同时,源级退化型全差分共源放大器也解决了源级随器的增益衰减且增益不可调的问题,通过调节源级退化型全差分共源放大器的可调增益实现了增益可控化。

主权项:1.一种输入前端电路,其特征在于,包括:源级退化型全差分共源放大器,所述源级退化型全差分共源放大器用于接入输入差分信号并基于所述输入差分信号,以预设可调增益生成第一差分信号;源跟随器,所述源跟随器与所述源级退化型全差分共源放大器连接,所述源跟随器用于基于所述第一差分信号生成第二差分信号;所述源级退化型全差分共源放大器包括第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第一电阻、第二电阻和可调电阻;所述第一电阻的第一端以及所述第二电阻的第一端均与工作电源连接,所述第一电阻的第二端与所述第一N型MOS管的漏极连接,所述第二电阻的第二端与所述第二N型MOS管的漏极连接;所述第一N型MOS管的源极与所述第三N型MOS管的漏极连接,所述第二N型MOS管的源极与所述第四N型MOS管的漏极连接,所述第三N型MOS管的源极以及所述第四N型MOS管的源极均接地;所述可调电阻的第一端与所述第一N型MOS管的源极连接,所述可调电阻的第二端与所述第二N型MOS管的源极连接;所述第一N型MOS管的栅极以及所述第二N型MOS管的栅极用于接入所述输入差分信号,所述第三N型MOS管的栅极以及所述第四N型MOS管的栅极均用于接入第一偏置电压,所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第二端用于输出所述第一差分信号;所述源跟随器包括第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管、第一电容和第二电容;所述第五N型MOS管的漏极和所述第六N型MOS管的漏极均与工作电源连接,所述第五N型MOS管的源极与所述第七N型MOS管的漏极连接,所述第六N型MOS管的源极与所述第八N型MOS管的漏极连接,所述第七N型MOS管的源极以及所述第八N型MOS管的源极均接地,所述第五N型MOS管的栅极以及所述第六N型MOS管的栅极与所述源级退化型全差分共源放大器连接,以接入所述第一差分信号;所述第一电容的第一端与所述第五N型MOS管的源极连接,所述第一电容的第二端接地,所述第二电容的第一端与所述第六N型MOS管的源极连接,所述第二电容的第二端接地;所述第一电容的第一端与所述第二电容的第一端用于输出所述第二差分信号。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳大学 输入前端电路、单比特时间交织模数转换电路及电子设备

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