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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213390A
主分类号：H01L29/15
分类号：H01L29/15;H01L29/775;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种栅全包围核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法，包含衬底层、绝缘层、沟道区、环绕栅结构、源区、漏区；其中所述绝缘层设于衬底层上，所述的绝缘结构中设有凹槽；所述沟道区跨设于所述凹槽之上，凹槽向上朝沟道区延伸，使得沟道区厚度小于源漏区的厚度，在确保栅控制能力的同时也避免了源漏区的电阻过大。所述沟道区包括中心沟道及2层以上外延层，具有核壳超晶格结构。本发明能够提供更好的电荷输运控制和更高的载流子迁移率，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种栅全包围核壳超晶格场效应晶体管器件，其特征在于，包括：衬底层；绝缘层，位于所述衬底层上，所述绝缘层的上表面成为凸出的绝缘结构，于所述绝缘结构之间界定出凹槽；沟道区，跨于所述凹槽之上；所述沟道区由纳米片和或纳米线构成；所述沟道区包括中心沟道和外延层，外延层为两层或两层以上；所述沟道区材料呈现包围的核壳超晶格结构，具有周期性；环绕式栅结构，其环绕于所述核壳超晶格纳米沟道周围；包括所述沟道区的表面依次形成的界面层、高K栅介质层和金属栅电极层；所述栅电极层延伸进入所述凹槽形成为位于所述沟道区下方，所述栅电极层还包括堆叠于所述沟道区前后两侧以及堆叠于所述沟道上方的部分；源区和漏区，设置于所述绝缘层上，分别连接于所述沟道区的两端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种栅全包围核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法
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