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超表面相变器及其制备方法、相变系统 

申请/专利权人:合肥美镓传感科技有限公司

申请日:2024-03-27

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118263695A

主分类号:H01Q17/00

分类号:H01Q17/00;H01Q15/00;H01Q15/02;H01Q3/36;H01Q3/28

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本申请的实施例提供了一种超表面相变器及其制备方法、相变系统,涉及半导体技术领域,旨在提升对电磁波的相位和振幅的可调能力,降低调节的延迟以提高灵敏度。超表面相变器包括阵列式排布的多个相变单元,每个相变单元包括衬底、高电子迁移率晶体管和相变器,高电子迁移率晶体管设置于衬底上,高电子迁移率晶体管包括源极和漏极。相变器设置于衬底上,相变器与高电子迁移率晶体管的源极和漏极电连接,且相变器浮置。超表面相变器可以应用于相变系统中,以实现对电磁波的相位和振幅的调制。

主权项:1.一种超表面相变器,其特征在于,包括阵列式排布的多个相变单元;所述相变单元包括:衬底;高电子迁移率晶体管,设置于所述衬底上,所述高电子迁移率晶体管包括源极和漏极;相变器,设置于所述衬底上,所述相变器与所述源极和所述漏极电连接,且所述相变器浮置。

全文数据:

权利要求:

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