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申请/专利权人：深圳尚阳通科技股份有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263280A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种超结器件，超结结构形成于第一外延层中且由多个交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成。超结结构底部的第一外延层组成缓冲层。第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二导电类型外延层组成。超结沟槽具有第一宽度和第一深度，缓冲层具有第二厚度，第一深度和第二厚度的和等于第一外延层的厚度。第二掺杂浓度在第二导电类型外延层的填充工艺窗口内变化。在保持第一外延层的厚度不变的条件下，超结沟槽的深宽比和第二厚度根据填充工艺窗口进行设置，使得在填充工艺窗口对应的第二掺杂浓度最小值和第二掺杂浓度最大值处，超结器件的击穿电压都大于等于额定击穿电压。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。
主权项：1.一种超结器件，其特征在于，包括：形成于第一导电类型掺杂的第一外延层中的超结结构，所述超结结构底部的所述第一外延层组成缓冲层；所述超结结构由多个交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成；所述第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二导电类型外延层组成；所述第一导电类型柱由所述第二导电类型柱之间的所述第一外延层组成；所述超结沟槽具有第一宽度和第一深度，所述缓冲层具有第二厚度，所述第一深度和所述第二厚度的和等于所述第一外延层的厚度，所述超结沟槽的深宽比为所述第一深度和所述第一宽度的比值；所述第一导电类型柱的第一掺杂浓度和所述第二导电类型柱的第二掺杂浓度相匹配；所述第二掺杂浓度在所述第二导电类型外延层的填充工艺窗口内变化；在保持所述第一外延层的厚度不变的条件下，所述超结沟槽的深宽比和所述第二厚度根据所述填充工艺窗口进行设置，使得在所述填充工艺窗口对应的第二掺杂浓度最小值和第二掺杂浓度最大值处，超结器件的击穿电压都大于等于所述额定击穿电压，以保证所述第二掺杂浓度在所述填充工艺窗口内变化时所述超结器件的击穿电压要大于等于额定击穿电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳尚阳通科技股份有限公司 超结器件及其制造方法
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