龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
主权项：1.一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法，其特征在于，利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立MOSFET总剂量效应模型，采用时域谱元法数值、利用牛顿迭代法求解方程求解MOSFET总剂量效应模型得到硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子电子、空穴、质子浓度和电势，进而得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号