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一种无边缘凸起的金属盖石墨岛及其制备方法 

申请/专利权人:深圳清力技术有限公司

申请日:2019-03-26

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN111747372B

主分类号:B81B5/00

分类号:B81B5/00;B81C1/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2023.05.26#专利申请权的转移;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开

摘要:本发明提供一种金属盖石墨岛及其制备方法,所述金属盖石墨岛包括岛状结构的石墨和覆盖于其上的金属盖层,所述金属盖层表面平整,且无边缘凸起,所述金属盖石墨岛可自回复,且具有微米尺度的大尺寸超滑面,有利于将超滑技术应用于微米尺度电学器件中。所述制备方法采用两层胶制备工艺,所获得的金属盖石墨岛表面平整,无边缘凸起,显著地提升了微米尺度金属盖石墨岛的自回复率,提高了获得超滑面的成功率,有效地降低了成本。

主权项:1.一种金属盖石墨岛的制备方法,其特征在于:包括以下具体步骤:步骤1,提供ZYB级高定向热解石墨,采用机械剥离的方法获得新的石墨表面;步骤2,使用匀胶机在步骤1所获得的石墨表面上平铺一层剥离光刻胶,然后再在其上平铺一层电子束光刻胶;步骤3,利用光刻工艺在电子束光刻胶中形成对应于石墨岛的图形,然后清洗去除位于石墨岛上方的剥离光刻胶;步骤4,在步骤3所获得的结构的整个表面上形成金属盖层;步骤5,利用lift-off工艺去除石墨岛以外区域的剥离光刻胶、电子束光刻胶及金属,形成图案化的金属盖层;步骤6,采用图案化金属盖层作为掩模,利用反应离子刻蚀工艺刻蚀石墨层,从而获得金属盖石墨岛。

全文数据:

权利要求:

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