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申请/专利权人：ISTE株式会社
摘要：根据本发明的一实施例，在SiCN薄膜形成中，以SiCN薄膜的折射率达到预设的基准折射率以上的成膜条件形成SiCN薄膜，由此在形成薄膜之后因水分或氧的吸附而导致的劣化现象得到改善，由此可提高元件的可靠性。
主权项：1.一种SiCN薄膜形成方法，其特征在于，包括：将靶材晶圆放置于腔体内的夹盘加热器的步骤；通过驱动所述夹盘加热器，加热所述靶材晶圆，使得靶材晶圆的温度达到200～550℃的靶材沉积温度的步骤；将所述腔体内的靶材工艺压力设置为2.0～10.0托的步骤；向设置所述靶材沉积温度和所述靶材工艺压力的腔体内部注入等离子体激发用气体和SiCN薄膜形成用第一反应气体及第二反应气体，形成所述靶材晶圆上的折射率为1.80～2.40的SiCN薄膜的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ISTE株式会社 SICN薄膜形成方法
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