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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种RGB三原色叠层外延结构及其制备方法、RGB芯片，涉及半导体器件技术领域，所述制备方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底之上生长第一外延层，并在所述第一外延层之上沉积第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层之上沉积第一缓冲层；在所述第一缓冲层之上生长第二外延层，并在所述第二外延层之上沉积第二绝缘层，以及在所述第二绝缘层上之上沉积第二缓冲层；在所述第二缓冲层之上生长第三外延层，得到三原色叠层外延结构。本发明旨在解决现有技术中RGB三原色芯片并排布置导致单个像素点面积较大，不利于更高分辨率显示技术发展的问题。

主权项：1.一种RGB三原色叠层外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底之上生长第一外延层，并在所述第一外延层之上沉积第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层之上沉积第一缓冲层；在所述第一缓冲层之上生长第二外延层，并在所述第二外延层之上沉积第二绝缘层，以及在所述第二绝缘层之上沉积第二缓冲层；在所述第二缓冲层之上生长第三外延层，得到三原色叠层外延结构；其中，所述第一外延层与所述第二外延层均包括P型GaN层、MQW多量子阱层、应力释放层、N型扩展层、N型GaN层以及U-GaN层；所述第三外延层包括欧姆接触层、电流扩展层、第一限制层、MQW多量子阱层、第二限制层、扩展层、粗化层与截止层；其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度均＞3000Å，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层均为晶体结构，所述第一缓冲层的厚度为100Å-500Å，所述第二缓冲层的厚度为10Å-100Å，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层的厚度比值为1:50-1：10；其中，在沉积所述第一绝缘层时，包括：控制反应室内的反应温度为300℃，保持所述反应室内的气压为90Mpa；分别向所述反应室内通入200sccm-260sccm的SiH4、1600sccm-2000sccm的N2O、470sccm-530sccm的N2，反应第一预设时间，得到第一绝缘层；以及，在沉积所述第二绝缘层时，包括：控制反应室内的反应温度为300℃，保持所述反应室内的气压为90Mpa；分别向所述反应室内通入200sccm-260sccm的SiH4、1600sccm-2000sccm的N2O、470sccm-530sccm的N2，反应第二预设时间，得到第二绝缘层；另外，所述第一缓冲层的沉积条件，包括：控制反应室内的第一反应温度为600℃，向所述反应室内通入45sccm的Ar、150sccm的N2以及2sccm的O2，第一反应功率为4500W;所述第二缓冲层的沉积条件，包括：控制反应室内的第二反应温度为750℃，向所述反应室内通入60sccm的Ar与200sccm的N2，第二反应功率为3000W。

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