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申请/专利权人：芯北电子科技(南京)有限公司

摘要：本发明提供了一种基于CMCOT架构的PFM控制方法，包括S1将参照电流和误差放大电流输入采样电路，下管开启信号控制采样电路输入端接SW，对电感电流IL进行采样，同时过零监测电路监测IL过零点得到ZCD信号；S2将ZCD信号输入PFM控制电路得到充电电流，同时LSONB信号将采样电路的输入端接PVSS；S3将充电电流Ipfm输入PWMPFM控制电路，随着Ipfm电流的增大，PWMPFM控制电路输出发生翻转，产生开启信号，实现PFM控制。本发明解决开关电源系统在PWM与PFM切换处出振荡，造成输出电压纹波偏大的问题，实现PWM模式和PFM模式两种控制模式的平稳过渡。

主权项：1.一种基于CMCOT架构的PFM控制方法，其特征在于，包括：S1：将参照电流Ios和比较电流Icomp输入采样电路，采样电路采集电感电流IL进行过零检测得到ZCD信号；S2：将ZCD信号输入PFM控制电路得到充电电流Ipfm；S3：将充电电流Ipfm输入PWMPFW输出电路完成CCM输出模式和DCM输出模式平稳切换；所述采样电路采集电感电流IL进行过零检测得到ZCD信号包括：若所述电感电流IL大于0，则得到低电平的ZCD信号并重新执行步骤S1；若所述电感电流IL等于0，则得到高电平的ZCD信号继续执行S2；所述采样电路包括：MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管NM1、MOS管NM2、MOS管NM3、MOS管NM4、MOS管NM5、MOS管NM6以及MOS管NM7；MOS管PM1的漏极、MOS管PM2的漏极与电源电压VDD连接，MOS管PM1的栅极、MOS管PM2的栅极连接偏置电压BIAS；MOS管PM1的源极分别与MOS管NM1的漏级、MOS管NM1的栅极、MOS管NM2的栅极、参照电流输入端IOS连接；MOS管PM2的源极分别与MOS管NM2的漏极、电感电流比较端ICOMP、所述PWMPFM输出电路连接，MOS管NM1的源极与MOS管NM3的漏极连接；MOS管NM3的栅极、MOS管NM4的栅极与电源电压VDD连接；MOS管NM4的源极连接公共接地PVSS，MOS管NM2的源极与MOS管NM5的漏极连接，MOS管NM5的栅极与电源电压VDD连接；MOS管NM5的源极分别与MOS管NM6的漏极、MOS管NM7的漏极连接；MOS管NM6的栅极与所述PWMPFM输出电路连接，MOS管NM6的源极连接公共接地PVSS；MOS管NM7的栅极与所述PWMPFM输出电路连接，MOS管NM7的源极与所述PWMPFM输出电路连接。

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