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申请/专利权人:弘元新材料(徐州)有限公司
摘要:本发明涉及光伏技术领域,具体为一种POLO选择性钝化结构实现方法,包括以下步骤:S1、界面氧化层的制备;S2、POLO结构载流子穿层;S3、多晶硅层沉积;S4、多晶硅层退火;S5、多晶硅层掺杂;S6、POLO结构的氢化处理;S7、POLO结构测试;本发明通过在晶硅表面沉积一层SiNx:H薄膜、Al2O3钝化膜,然后再进行烧结处理使得膜层中的氢释放出来达到钝化的目的,降低多晶层表面的缺陷,发挥出提升效率的潜力,提升晶硅电池的转换率,利于电池产线的使用。
主权项:1.一种POLO选择性钝化结构实现方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、界面氧化层的制备;S2、POLO结构载流子穿层;S3、多晶硅层沉积;S4、多晶硅层退火;S5、多晶硅层掺杂;S6、POLO结构的氢化处理;S7、POLO结构测试。
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