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申请/专利权人：成都电科星拓科技有限公司
摘要：本发明提供了一种集成电路的Memory集成方法，包括：建立通用用户需求表与实例化Memory通用接口；对通用用户需求表中用户需求进行分解，确定总面积最小的物理Memory；通过功能分工对Memory进行层次化封装。本发明能够针对工艺、供应商不同的Memory工具，结合项目的具体Memory需求，屏蔽底层实现，建立通用Memory的顶层，在项目中方便明了调用通用顶层，提高项目的Memory集成效率，满足项目在前期验证、后期综合的使用，提升集成电路项目的研发管理水平。本发明可以应用在所有芯片开发项目中。
主权项：1.一种集成电路的Memory集成方法，其特征在于，包括：建立通用用户需求表与实例化Memory通用接口；对通用用户需求表中用户需求进行分解，确定总面积最小的物理Memory；通过功能分工对物理Memory进行层次化封装；所述通过功能分工对物理Memory进行层次化封装过程为：第一层：物理层封装，针对不同的物理Memory进行封装，并屏蔽物理层细节；第二层：物理层面到用户需求层面的封装，将拆分的物理Memory调整为用户需求对应的Memory；第三层：将同类型的Memory通过不同参数进行实例化，所有同类型Memory调用同一个文件模块；第四层：封装FPGA和EDA仿真模型文件，并宏定义隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都电科星拓科技有限公司 一种集成电路的Memory集成方法
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