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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：示例性沉积方法可包括将含钌前驱物和含氢前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。含钌前驱物或含氢前驱物中的至少一者可包括碳。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积钌和碳材料。
主权项：1.一种沉积方法，包括以下步骤：将含钌前驱物和含氢前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域，其中所述含钌前驱物或所述含氢前驱物中的至少一者包括碳；在半导体处理腔室的所述处理区域内形成所有前驱物的等离子体；以及在设置在所述半导体处理腔室的所述处理区域内的基板上沉积钌和碳材料。
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