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申请/专利权人：合肥矽普半导体科技有限公司
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种改善FOM性能的SJMOSFET器件，包括外延层和柱区，还包括至少一沟槽，沟槽位于外延层上，沟槽内下部设置有柱区；沟槽内还具有：一栅极多晶硅，栅极多晶硅位于沟槽内上部；一隔离氧化物层，隔离氧化物层位于栅极多晶硅和柱区之间，由隔离氧化物层将栅极多晶硅和柱区隔开；一栅极氧化物介质层，栅极氧化物介质层位于栅极多晶硅与沟槽之间，由栅极氧化物介质层将栅极多晶硅和沟槽隔开，栅极氧化物介质层的底部连接隔离氧化物层。本实用新型通过增设器件沟道结构，将柱区和栅极多晶硅设置在沟道内，这种设计，可以降低导通电阻，进而降低FOM，进而提高SJMOSFET器件的性能。
主权项：1.一种改善FOM性能的SJMOSFET器件，所述改善FOM性能的SJMOSFET器件包括外延层和柱区，其特征在于，所述改善FOM性能的SJMOSFET器件还包括至少一沟槽，所述沟槽位于所述外延层上，所述沟槽内下部设置有所述柱区；所述沟槽内还具有：一栅极多晶硅，所述栅极多晶硅位于所述沟槽内上部；一隔离氧化物层，所述隔离氧化物层位于所述栅极多晶硅和所述柱区之间，由所述隔离氧化物层将所述栅极多晶硅和所述柱区隔开；一栅极氧化物介质层，所述栅极氧化物介质层位于所述栅极多晶硅与所述沟槽之间，由所述栅极氧化物介质层将所述栅极多晶硅和所述沟槽隔开，所述栅极氧化物介质层的底部连接所述隔离氧化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥矽普半导体科技有限公司 改善FOM性能的SJ MOSFET器件
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