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申请/专利权人:武汉大学
摘要:本发明涉及一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器,包括压电层和设置于所述压电层表面的电极阵列,所述电极阵列中包括第一电极块和第二电极块,所述第一电极块的尺寸大于第二电极块。本发明使谐振器的有效机电耦合系数以及品质因子均得到了很大的提高,进而提高了FOM值。
主权项:1.一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器,其特征在于,包括压电层和设置于所述压电层表面的电极阵列,所述电极阵列中包括第一电极块和第二电极块,所述第一电极块的尺寸大于第二电极块。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 武汉大学 一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器
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