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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种改善Q‑time的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括NDC层、LK层、TiN层、PEOX层及BARC层；通过刻蚀工艺刻蚀所述BARC层、所述PEOX层及所述TiN层以形成沟槽；对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；对清洗后的所述半导体结构进行热处理；于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺。通过本发明解决了现有的进行通孔光刻前因Q‑time超时导致晶圆产生聚合物缺陷的问题。
主权项：1.一种改善Q-time的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括NDC层、LK层、TiN层、PEOX层及BARC层；通过刻蚀工艺刻蚀所述BARC层、所述PEOX层及所述TiN层以形成沟槽；对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；对清洗后的所述半导体结构进行热处理；于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善Q-time的方法
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