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申请/专利权人：北京中讯四方科技股份有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种高Q值的声表面滤波器的制作方法，本发明实施例通过以硅为衬底，在其表面沉积二氧化硅作为温补层和低声速层，最后通过晶圆键合技术将压电单晶薄膜键合在二氧化硅上；同时为了减小晶圆片内色差对器件频率的影响，在涂胶工艺之前喷涂一层抗反射膜，并采用分区曝光法进行曝光。通过本发明实施例所制作出的声表面滤波器损耗量小、带外抑制高、温度稳定性优越、耐功率性能好，能够有效提高通信设备的信号传输质量并且具有优秀的抗烧毁能力。
主权项：1.一种高Q值的声表面滤波器的制作方法，其特征在于，所述方法应用于高纯硅片，其包括：S1、以高纯硅片为衬底，在硅片表面沉积一层二氧化硅薄膜，对压电单晶片进行离子注入，在所述压电单晶片中间形成缺陷层；S2、将镀膜后的硅片和离子注入后的压电单晶片进行离子键合，使硅片和压电单晶片相结合，利用退火法从压电单晶片中剥离上层部分使缺陷层和硅片键合，利用CMP抛光法对键合在硅片钝化面的压电单晶片表面减薄和抛光并清洗，获得具有多层薄膜结构的晶圆；S3、对所述晶圆喷涂抗反射膜并利用分区曝光法进行曝光并对曝光后的晶圆进行显影、镀膜、剥离工序，制备获得声表面滤波器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中讯四方科技股份有限公司 一种高Q值的声表面滤波器的制作方法
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