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申请/专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构和方法。该测试结构包括衬底、底面层、待测试层和表面层；待测试层位于底面层和表面层中间；其中，衬底为半绝缘InP衬底；底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；待测试层为待测试高铟组分InGaAs层；表面层为不掺杂高铟组分InYAs表面层；表面层的厚度为10～100nm；底面层中InXAs与待测试层中InGaAs的晶格匹配；表面层中InYAs的禁带宽度大于待测试层中InGaAs的禁带宽度。本发明提供的测试结构可以消除在待测试高铟组分InGaAs材料表面和底面的载流子复合对于微波光电导衰减法测试少子寿命准确度的影响，从而对高铟组分InGaAs材料的少子寿命进行准确、有效的测试。
主权项：1.一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构，其特征在于，包括衬底、底面层、待测试层和表面层；所述待测试层位于所述底面层和所述表面层中间；其中，所述衬底为半绝缘InP衬底；所述底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；所述待测试层为待测试高铟组分InGaAs层；所述表面层为不掺杂高铟组分InYAs表面层；所述表面层的厚度为10～100nm；所述底面层中InXAs与所述待测试层中InGaAs的晶格匹配；所述表面层中InYAs的禁带宽度大于所述待测试层中InGaAs的禁带宽度。
全文数据：
权利要求：
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