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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本发明公开了一种测试硅片少子寿命的方法和设备，所述测试硅片少子寿命的方法包括步骤：S10、对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜；S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积；S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片；S40、对旋转后的硅片的正反两面进行电荷沉积；S50、重复执行步骤S30、S40，重复次数大于等于1次；S60、获得电荷沉积后的硅片少子寿命。本发明提供的测试硅片少子寿命的方法和设备能够准确地测定硅片的少子寿命，从而能够准确反应晶圆品质好坏。
主权项：1.一种测试硅片少子寿命的设备，其特征在于，包括热处理装置、电荷沉积装置、旋转装置、硅片少子寿命测量装置和输送装置，所述热处理装置能够对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜，所述电荷沉积装置能够对热处理后的硅片正反两面进行电荷沉积，所述旋转装置能够旋转硅片；所述输送装置在所述电荷沉积装置和所述旋转装置之间输送硅片，其中，所述旋转装置通过机械手夹持所述硅片，将所述硅片放置在所述旋转装置中，所述旋转装置根据旋转角度θ旋转所述硅片，并且所述旋转装置通过所述机械手夹持所述硅片，将所述硅片放回至所述电荷沉积装置，其中，所述电荷沉积装置包括硅片定位平台和电极放电器，所述硅片定位平台包括定位环和固定在所述定位环上的至少两个支点，所述定位环呈U字形，所述硅片能够放置在所述定位环内并且支撑在所述支点上，所述电极放电器能够对放置在所述定位环内的硅片的正反两面进行电荷沉积。
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权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种测试硅片少子寿命的方法和设备
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