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申请/专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种高效能的SGTMOSFET器件，包括衬底,衬底上生长有外延层，外延层上刻蚀有沟槽，沟槽内沉淀有源极多晶硅，源极多晶硅与沟槽内壁之间填充有氮化硅，氮化硅外侧设置参杂区，且参杂区位于外延层内，源极多晶硅上方沉淀有栅极多晶硅，栅极多晶硅外侧设置有基区和源区，且基区、源区位于外延层、参杂区上方，栅极多晶硅设置介质层。本发明通过在外延层内设置参杂区，当栅极多晶硅的电压值达到阈值时，参杂区靠近沟槽的一侧形成反型层沟道，基区靠近沟槽的一侧形成多子空穴积累层，在漏极金属接负电位的反向偏压下，电流从基区经参杂区流向外延层，最终抵达漏极金属，通过设置参杂区形成反型层沟道减小了半导体功率开关器件的导通电阻。
主权项：1.一种高效能的SGTMOSFET器件，其特征在于：包括衬底（2）,衬底（2）上生长有外延层（8），外延层（8）上刻蚀有沟槽（3），沟槽（3）内沉淀有源极多晶硅（5），源极多晶硅（5）与沟槽（3）内壁之间填充有氮化硅（4），氮化硅（4）外侧设置参杂区（9），且参杂区（9）位于外延层（8）内，源极多晶硅（5）上方沉淀有栅极多晶硅（6），栅极多晶硅（6）外侧设置有基区（7）和源区（11），且基区（7）、源区（11）位于外延层（8）、参杂区（9）上方，栅极多晶硅（6）设置介质层（10）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市冠禹半导体有限公司 一种高效能的SGTMOSFET器件及其制备方法
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