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申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司

摘要：本发明公开了一种SGTMOSFET器件，栅极结构的底部氧化层和源多晶硅位于栅极沟槽的底部，底部氧化层的厚度满足150V以上耐压，栅极沟槽的顶部填充有全部采用CVD沉积形成的顶部氧化层，多晶硅栅形成在对顶部氧化层进行刻蚀形成的顶部子沟槽中，顶部子沟槽的宽度满足对多晶硅栅进行填充的需要，且顶部子沟槽的两侧面的深度相同时多晶硅栅的两侧面的深度相同。本发明还提供一种SGTMOSFET器件的制造方法。本发明能在保证底部氧化层实现150V以上的耐压条件下，采用左右结构的多晶硅栅从而能使多晶硅栅的宽度能实现多晶硅栅的良好和低难度的填充，且能保证多晶硅栅的两侧面的深度一致，从而能在满足沟道区的覆盖长度的条件下避免增加输入电容以及能增加器件的可靠性。

主权项：1.一种SGTMOSFET器件，其特征在于：SGTMOSFET器件的耐压为150V以上；栅极结构形成在栅极沟槽中；所述栅极沟槽形成于第一导电类型的第一外延层中，在所述栅极沟槽的内侧面形成有底部氧化层，所述底部氧化层的厚度要求满足150V以上的耐压条件，所述底部氧化层的厚度越厚，所述底部氧化层的耐压越高；所述底部氧化层由热氧化层和CVD沉积的氧化层叠加而成，以满足所述底部氧化层应力条件；所述底部氧化层在所述栅极沟槽中围成中间沟槽，在所述中间沟槽中填充有第一多晶硅层；所述中间沟槽的宽度根据所述第一多晶硅层填充难度条件进行设置，所述中间沟槽的宽度越大所述第一多晶硅层的填充难度越大，所述中间沟槽的宽度小于等于难度最大的所述第一多晶硅层填充对应的沟槽宽度；在所述栅极沟槽中形成有所述第一多晶硅层和所述底部氧化层被刻蚀后形成的顶部沟槽；源多晶硅由刻蚀后的所述第一多晶硅层组成；在所述顶部沟槽中填充有顶部氧化层，所述顶部氧化层采用CVD沉积工艺形成，保证沿所述栅极沟槽的宽度方向上所述顶部氧化层的各位置处的刻蚀速率相同；在所述顶部氧化层中形成有对所述顶部氧化层进行刻蚀后形成的顶部子沟槽，所述顶部子沟槽的第一侧面将所述栅极沟槽的侧面暴露，所述顶部子沟槽的第二侧面将刻蚀后的所述顶部氧化层的侧面暴露；利用所述顶部氧化层各位置处的刻蚀速率相同的特征使所述顶部子沟槽的第一侧面和第二侧面的深度相同；在所述顶部子沟槽的第一侧面上形成有栅介质层，在形成有所述栅介质层的所述顶部子沟槽中填充有由第二多晶硅层组成的多晶硅栅；所述顶部子沟槽的宽度根据所述第二多晶硅层填充难度条件进行设置，所述顶部子沟槽的宽度越大所述第二多晶硅层的填充难度越大，所述顶部子沟槽的宽度小于等于难度最大的所述第二多晶硅层填充对应的沟槽宽度；在所述第一外延层的表面区域中形成有第二导电类型掺杂的沟道区，所述沟道区的结深小于等于所述多晶硅栅的第一侧面的深度，被所述多晶硅栅的第一侧面所覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述多晶硅栅的第一侧面的深度根据所需要的所述沟道区的结深进行设置；所述沟道区以下的所述第一外延层组成漂移区；所述顶部子沟槽的第一侧面和第二侧面的深度相同的结构使所述多晶硅栅的第一侧面和第二侧面的深度相同，防止所述多晶硅栅的第二侧面的深度大于第一侧面的深度并从而减少输入电容。

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