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申请/专利权人：湖北科技学院

摘要：本发明提供了一种宇称‑时间对称的Thue‑Morse光子晶体复合结构，属于光学技术领域。包括一个非周期光子晶体和两个对称分布在非周期光子晶体两侧的周期性光子多层；所述非周期光子晶体结构包括两个对称分布的Thue‑Morse序列，所述Thue‑Morse序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN‑1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片。本发明具有能够实现高灵敏度传感器和实现小尺寸激光器等优点。

主权项：1.一种宇称-时间对称的Thue-Morse光子晶体复合结构，其特征在于，包括一个非周期光子晶体和两个呈宇称-时间对称分布在非周期光子晶体两侧的周期性光子多层；所述非周期光子晶体结构包括两个呈宇称-时间对称分布的Thue-Morse序列，所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN-1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN-1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片；位于非周期光子晶体结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层A，通光状态下的折射率表示为na；位于非周期光子晶体结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层A'，通光状态下的折射率表示为na'；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层B，通光状态下的折射率表示为nb；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层B'，通光状态下的折射率表示为nb'；na＝nA+0.01qi，na'＝nA-0.01qi，nb＝nB-0.01qi，nb'＝nB+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电解质层的厚度均为各自折射率对应的14光学波长；损耗可以通过掺杂铁离子等金属离子来实现，增益通过非线性二波混频得到；所述周期性光子多层包括电介质薄片一C和电介质薄片二D，所述电介质薄片一和电介质薄片二周期性交替排列。

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