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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

摘要：本发明提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在源极、控制栅与衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。

主权项：一种用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存包括衬底、源极和控制栅，其中，所述方法包括：通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述漏极之间不存在电压差。

全文数据：一种用于HTOL测试的闪存设置方法技术领域本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于HTOL测试的闪存设置方法。背景技术在半导体技术领域中，高温寿命测试HighTemperatureOperatingLifetest；HTOL用于评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存flash的可靠性而言，在数百或数千次的循环cycling之后的HTOL是一个主要指数。通常而言，闪存产品需要在10000次的循环之后，通过1000小时的高温寿命测试HTOL。现有技术中的一种NOR型闪存的单元结构如图1所示，包括衬底100、源极Source101、漏极Drain102、选择栅SelectedGate103和控制栅ControlGate104。其中，选择栅103用于在操作时选择相应的单元cell，控制栅104用于通过是否储存有电荷定义状态“0”或“1”。如果控制栅104内储存有电子，相应的单元处于“开”ON状态，记作状态“0”；如果控制栅104内未储存电子，则相应的单元处于“关”OFF状态，记作状态“1”。在图1中，该闪存单元处于待机模式standbymode，选择栅103上的电压为1.8V。需要解释的是，如果该闪存单元处在用于读取的被选定状态，则选择栅上的电压为-1.2V。为了获得高的速度，闪存flash总是处于待机模式，即，由N阱构成的衬底bulk100总是连接至电源电压Vcc例如1.8V，控制栅104和漏极102总是连接至GND接地，源极101总是连接至电源电压Vcc例如1.8V，因此，控制栅与衬底之间以及与源极之间总是存在电压差，这会加速控制栅104中储存的电子从控制栅104泄漏出来，尤其当闪存单元已经完成数百或数千次的循环之后。然而，在进行高温寿命测试的过程中，需要保持控制栅104上储存的电荷数，以保证测试质量。由此可见，现有技术中的上述对闪存进行设置此处的设置主要指施加电压的方法，有时会无法满足进行高温寿命测试HTOL的要求。因此，为解决这一问题，有必要提出一种新的用于HTOL测试的闪存设置方法。发明内容针对现有技术的不足，本发明提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，可以改善控制栅的电荷储存能量。本发明实施例提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存包括衬底、源极和控制栅，其中，所述方法包括：通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差。可选地，在所述衬底上施加的电压为Vcc，在所述控制栅上施加的电压为GND，在所述源极上施加的电压为GND。可选地，所述闪存还包括选择栅，并且所述方法还包括：在所述选择栅上施加电压Vcc。可选地，所述闪存还包括漏极，并且所述方法还包括：在所述漏极上施加电压Vcc。其中，所述Vcc为1.8V。其中，所述Vcc为0V。其中，所述闪存被控制在待机模式下。可选地，所述衬底为N型掺杂，所述源极与所述漏极为P型掺杂。可选地，所述闪存为NOR型闪存。本发明的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。附图说明本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。附图中：图1为现有技术中的用于HTOL测试的闪存设置方法的原理图；图2为本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法的一种原理图；图3A为本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法的仿真结果；图3B为现有技术中的用于HTOL测试的闪存设置方法的仿真结果。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和或组的存在或添加。在此使用时，术语“和或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。下面，参照图2来描述本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法。其中，图2为用于HTOL测试的闪存设置方法的一种原理图。本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法，主要涉及闪存处于待机模式standbymode时对施加在闪存各端极的电压的设置，用于提高控制栅的电荷储存能力，保证测试质量。示例性地，如图2所示，本实施例所采用的闪存与图1相同。其中，该闪存为NOR型闪存。本实施例所采用的闪存包括多个单元Cell，其中，每个单元包括衬底100、源极Source101、漏极Drain102、选择栅SelectedGate103和控制栅ControlGate104。其中，选择栅103用于在操作时选择相应的单元cell，控制栅104用于通过是否储存有电荷定义状态“0”或“1”。如果控制栅104内储存有电子，相应的单元处于“开”ON状态，记作状态“0”；如果控制栅104内没有储存电子，相应的单元处于“关”OFF状态，记作状态“1”。其中，图2仅示出了闪存的一个单元，该单元包括2个晶体管，均为PMOS。本实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法，主要涉及在进行HTOL测试时对各个端极的电压的设置。与现有技术中的设置方法如图1所示不同的是，在进行HTOL测试的过程中，本实施例的设置方法在闪存的源极Source101上施加的电压为GND例如：0V，漏极Drain102上施加的电压为工作电压Vcc例如，1.8V。此外，由N阱构成的衬底bulk100仍连接至电源电压Vcc例如1.8V，控制栅104仍连接至GND，选择栅103上施加的电压仍为电源电压Vcc例如1.8V。由于选择栅103上施加的电压仍为电源电压Vcc例如1.8V，因此此时闪存处于待机模式standbymode。由上述可知，相对现有技术，本实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法，将施加在源极与漏极上的电压进行了互换。通过上述电压设置，可以直接保证控制栅104与源极101之间将不存在电压差。此外，当衬底100上施加的电压为Vcc而控制栅104上施加的电压为GND时，PMOS处于“开”ON状态，由于源极101上施加的电压为GND，因此，沟道处于GND状态，进而使得控制栅104与衬底100之间也不存在电压差。也就是说，控制栅104与源极101或衬底100之间均不存在电压差。所以，控制栅104与源极101之间以及与衬底100之间的电场相对于现有技术被大幅降低，相应地，控制栅104储存的电荷将变得不易泄露。当然，还可以通过在源极、控制栅与衬底上施加其他合适的具体电压，使得控制栅与源极之间以及控制栅与衬底之间不存在电压差。本实施例的核心在于通过调换现有技术中源极与漏极的电压来消除控制栅与衬底之间以及与源极之间的电压差，以改善控制栅的电荷储存能力。与现有技术相比，本发明实施例的技术方案的改善控制栅的电荷储存能力的技术效果如图3A和图3B所示。其中，图3A为本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法的仿真结果，图3B为现有技术中的用于HTOL测试的闪存设置方法的仿真结果。本实施例的方法，在HTOL后未引起控制栅上施加的电压即，控制栅电压的偏移，如图3A所示；而现有技术中的方法，则在经过HTOL后导致控制栅电压与失效位数量之间的关系曲线出现“长尾”，如图3B所示，即，控制栅电压发生了严重的偏移。也就是说，本实施例的方法相对于现有技术，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。本发明实施例的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在源极、控制栅与衬底上施加的电压，使得控制栅与源极之间以及控制栅与衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

权利要求：1.一种用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存为NOR型闪存，所述闪存包括衬底、源极和控制栅，其中，所述方法包括：在所述衬底上施加的电压为Vcc，在所述控制栅上施加的电压为GND，在所述源极上施加的电压为GND，通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差。2.如权利要求1所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存还包括选择栅，并且所述方法还包括：在所述选择栅上施加电压Vcc。3.如权利要求1所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存还包括漏极，并且所述方法还包括：在所述漏极上施加电压Vcc。4.如权利要求1所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述Vcc为1.8V。5.如权利要求1所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述Vcc为0V。6.如权利要求1所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存被控制在待机模式下。7.如权利要求3所述的用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述衬底为N型掺杂，所述源极与所述漏极为P型掺杂。

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