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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411517037.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片是由周永亮;戴呈星;杨盼;仲静雪;孙迎雪;李鑫;彭春雨;吴秀龙设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片。该方案将SRAM存储阵列中的每个存储单元的传输管全部采用FDSOI型晶体管，并由温度自适应读写辅助电路在电路执行读操作或写操作时，向存储阵列中的每个存储单元的传输管中的衬底输出一个随温度上升而上升的背栅偏置电压，其中，温度自适应读写辅助电路包括动态电压源和一个由MTJ和NMOS构成的读写辅助偏置电路；读写辅助偏置电路利用MTJ在高阻态下的温度特性，对动态电压源的输出进行分压，进而得到所需的背栅偏置电压。本发明克服了SRAM器件中温度漂移导致的读写访问速度不稳定以及漏电流影响正常数据读写的问题。

本发明授权基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路，其特征在于，其应用于存储单元的传输管均采用FDSOI型晶体管的SRAM电路中，所述温度自适应读写辅助电路包括动态电压源和读写辅助偏置电路；其中，所述动态电压源连接SRAM电路的读信号和写信号，并用于在接收到读信号时输出基准电压信号，以及在接收到写信号时输出高于基准电压的升压信号；所述读写辅助偏置电路用于在读写操作时向SRAM电路中的各个存储单元的传输管的衬底同步输出一个随温度上升而上升的背栅偏置电压；所述读写辅助偏置电路包括一个NMOS管N0和一个处于高阻态的磁隧道结MTJ；N0的栅极接偏置电压Vb，源极接地；MTJ中靠近自由层的一端与所述动态电压源的输出端相连，MTJ中靠近固定层的一端与N0的漏极相连并作为所述背栅偏置电压的输出节点。

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