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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011298209.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈耿尧;张长昀;温明璋设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本文描述的实施例针对用于减轻由图案化的栅极结构产生的边缘电容的方法。该方法包括在设置在基板上的鳍结构上形成栅极结构；在栅极结构中形成开口以将栅极结构划分为第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分通过开口间隔开。该方法还包括在开口中形成填充结构，其中形成填充结构包括在开口中沉积氮化硅衬垫以覆盖开口的侧壁表面，以及在氮化硅衬垫上沉积氧化硅。本申请的实施例还包括一种半导体结构。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：第一鳍结构和第二鳍结构，位于衬底上；第一栅极结构，设置在所述第一鳍结构上；第二栅极结构，设置在所述第二鳍结构上并且与所述第一栅极结构隔开，其中，所述第一栅极结构的第一端部面向所述第二栅极结构的第二端部；填充结构，插入在相应的所述第一栅极结构和第二栅极结构的所述第一端部和第二端部之间，包括：第一层，位于所述第一端部和第二端部上；以及第二层，填充所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的空间，其中，所述第二层的介电常数低于所述第一层，其中，所述第二层包括气隙，所述第二层的底部到顶部在沿着所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构的长度方向上具有垂直的侧壁轮廓，而在沿着所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的长度方向上具有负斜率的侧壁轮廓，以使所述第二层的顶部宽度短于所述第二层的底部宽度。

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